VS-SF50xA120/VS-SFxx0SA120 电源模块

Vishay Semiconductor Diodes 电源模块采用 SiC 技术设计,以提高现有中高频设计的电源效率

Vishay Semi Diodes 1,200 V SiC MOSFET 电源模块图片Vishay Semiconductor Diodes VS-SF50xA120 和 VS-SFxx0SA120 电源模块旨在提高中高频应用的能效。它们提供单开关和低压侧斩波器配置。每个电源模块采用一个 SiC MOSFET,并集成了具有低反向恢复特性的软体二极管。最终降低了开关损耗并提高了效率。紧凑的 SOT-227 封装使它们能够作为现有设计中同类解决方案的直接替代品,以便设计人员可以采用 SiC 技术而无需更改 PCB 布局。模制封装还能提供高达 2,500 V 的电绝缘(持续一分钟),因而无需在元器件和散热器之间添加额外的绝缘层,从而降低了成本。

特性
  • 行业标准 SOT-227 封装
  • 提供单开关和低压侧斩波器配置
  • 集成
    • SiC MOSFET
    • 具有低反向恢复特性的软体二极管
  • 高达 2,500 V 的电气绝缘(持续一分钟)
 
  • 连续漏极电流范围为 50 A 至 200 A
  • 低至 12.1 mΩ 的导通电阻
  • 具有低输出电容的高速开关
  • 最高工作结温:+175°C
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 太阳能逆变器
  • 电动汽车 (EV) 板外充电器
  • 开关电源
  • DC/DC 转换器
 
  • UPS
  • 暖通空调系统
  • 大规模电池储能系统
  • 电信电源

VS-SF50xA120 and VS-SFxx0SA120 Power Modules

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发布日期: 2026-01-29