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规格书
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 584W(Tj) 底座安装
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

CAB004M12GM4T

DigiKey 零件编号
1697-CAB004M12GM4T-ND
制造商
制造商产品编号
CAB004M12GM4T
描述
SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A(Tj) 584W(Tj) 底座安装
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
CAB004M12GM4T 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
包装
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.2 毫欧 @ 240A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 75mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1144nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26.4pF @ 800V
功率 - 最大值
584W(Tj)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
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