MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 350A(Tc) 979W(Tc) 底座安装 36-PIM(56.7x62.8)
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MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 350A(Tc) 979W(Tc) 底座安装 36-PIM(56.7x62.8)
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTHG

DigiKey 零件编号
5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
制造商
制造商产品编号
NXH003P120M3F2PTHG
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
原厂标准交货期
21 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 350A(Tc) 979W(Tc) 底座安装 36-PIM(56.7x62.8)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 200A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.4V @ 160mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1195nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20889pF @ 800V
功率 - 最大值
979W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
36-PIM(56.7x62.8)
基本产品编号
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$289.21000
含 VAT 单价:$315.23890