
SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIS903DN-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
原厂标准交货期 | 27 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta),23W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIS903DN-T1-GE3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 个 P 沟道(双) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20.1 毫欧 @ 5A,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 42nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2565pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 2.6W(Ta),23W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.10000 | $2.10 |
| 10 | $1.32500 | $13.25 |
| 100 | $0.88160 | $88.16 |
| 500 | $0.69138 | $345.69 |
| 1,000 | $0.63016 | $630.16 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.55242 | $1,657.26 |
| 6,000 | $0.51329 | $3,079.74 |
| 9,000 | $0.49372 | $4,443.48 |
| 不含 VAT 单价: | $2.10000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.28900 |











