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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIS903DN-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
原厂标准交货期 | 38 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 6A（Tc） 2.6W（Ta），23W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIS903DN-T1-GE3 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA |
制造商 Vishay Siliconix | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 42nC @ 10V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2565pF @ 10V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 功率 - 最大值 2.6W（Ta），23W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 安装类型 表面贴装型 |
配置 2 个 P 沟道（双） | 封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 双 |
漏源电压（Vdss） 20V | 供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8 双 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc） | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20.1 毫欧 @ 5A，4.5V |
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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.50000 | $2.50 |
| 10 | $1.58000 | $15.80 |
| 100 | $1.05850 | $105.85 |
| 500 | $0.83446 | $417.23 |
| 1,000 | $0.76240 | $762.40 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.67091 | $2,012.73 |
| 6,000 | $0.62487 | $3,749.22 |
| 9,000 | $0.60143 | $5,412.87 |
| 15,000 | $0.57509 | $8,626.35 |
| 21,000 | $0.57436 | $12,061.56 |
| 不含 VAT 单价: | $2.50000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.72500 |
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