SIS434DN-T1-GE3 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


Diodes Incorporated
现货: 3,350
单价: $1.73000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 15,414
单价: $1.73000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 1,441
单价: $1.60000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 45,668
单价: $1.18000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 5,684
单价: $2.52000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 337
单价: $2.19000
规格书
表面贴装型 N 通道 40 V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIS434DN-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SIS434DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SIS434DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SIS434DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SIS434DN-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
原厂标准交货期
28 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 40 V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIS434DN-T1-GE3 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1530 pF @ 20 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),52W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
40 V
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.6 毫欧 @ 16.2A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
DMN4008LFG-13Diodes Incorporated3,35031-DMN4008LFG-13CT-ND$1.73000类似
DMN4008LFG-7Diodes Incorporated15,414DMN4008LFG-7DICT-ND$1.73000类似
RQ3E180GNTBRohm Semiconductor1,441RQ3E180GNTBCT-ND$1.60000类似
RQ3G100GNTBRohm Semiconductor45,668RQ3G100GNTBCT-ND$1.18000类似
RQ3G150GNTBRohm Semiconductor5,684RQ3G150GNTBCT-ND$2.52000类似
现货: 0
查看交期
申请库存通知
所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$2.19000$2.19
10$1.38300$13.83
100$0.91970$91.97
500$0.72100$360.50
1,000$0.65704$657.04
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.55687$1,670.61
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.19000
含 VAT 单价:$2.38710