SIHP30N60E-E3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 227
单价: $9.89000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 3,448
单价: $9.50000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 956
单价: $8.64000
规格书

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 33,500
单价: $7.81735
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,703
单价: $9.93000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 421
单价: $7.23000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,468
单价: $8.02000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 878
单价: $6.33000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 235
单价: $9.13000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 66
单价: $14.89000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 773
单价: $16.33000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 998
单价: $8.64000
规格书

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Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 98
单价: $8.69000
规格书
SIHP050N60E-GE3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHP30N60E-E3

DigiKey 零件编号
742-SIHP30N60E-E3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHP30N60E-E3
描述
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP30N60E-E3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
125 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
基本产品编号
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不含 VAT 单价:$3.74423
含 VAT 单价:$4.08121