类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 CoolMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2800 pF @ 100 V
包装管件	功率耗散（最大值） 255W（Tc）
零件状态停产	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 600 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 105 毫欧 @ 18A，10V	基本产品编号 IPP60R099
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.2mA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP65R099CFD7AAKSA1	Infineon Technologies	3	448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND	$11.21000	MFR Recommended
AOT42S60L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,045	785-1515-5-ND	$10.75000	类似
SIHP28N65E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP28N65E-GE3-ND	$4.05132	类似
STP33N60M2	STMicroelectronics	264	497-14221-5-ND	$7.04000	类似
STP42N65M5	STMicroelectronics	0	497-8791-5-ND	$15.36000	类似

IPP60R099CPAAKSA1