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通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
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SIHP12N65E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHP12N65E-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHP12N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHP12N65E-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1224 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP12
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10$2.75700$27.57
100$1.90900$190.90
500$1.54642$773.21
1,000$1.42992$1,429.92
2,000$1.33197$2,663.94
5,000$1.31159$6,557.95
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$4.25000
含 VAT 单价:$4.63250