IPP60R385CPXKSA1 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

STP10NK80Z
STMicroelectronics
现货: 923
单价: $7.26000
规格书

类似

IRF830A
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

IRF830APBF
Vishay Siliconix
现货: 1,731
单价: $3.98000
规格书

类似

IRFBC30APBF
Vishay Siliconix
现货: 735
单价: $5.13000
规格书

类似

IXTP12N65X2
IXYS
现货: 0
单价: $2.73180
规格书

类似

IXTP12N70X2M
IXYS
现货: 0
单价: $3.48177
规格书

类似

SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.25000
规格书

类似

STP12N65M5
STMicroelectronics
现货: 0
单价: $1.66803
规格书

类似

STP13N60M2
STMicroelectronics
现货: 594
单价: $3.20000
规格书

类似

STP13NM60N
STMicroelectronics
现货: 1,322
单价: $6.91000
规格书

类似

TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 49
单价: $6.32000
规格书
查看所有替代品并进行比较
通孔 N 通道 650 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPP60R385CPXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP60R385CPXKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP60R385CPXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP60R385CPXKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
385 毫欧 @ 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R385
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

按订单供货
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后，DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
500$1.34180$670.90
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$1.34180
含 VAT 单价:$1.46256