IPP60R385CPXKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 415
单价: $7.76000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 1,718
单价: $4.25000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 732
单价: $5.49000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $3.39970
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $4.52107
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.54000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $1.93378
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 586
单价: $3.42000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,222
单价: $7.39000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 34
单价: $6.98000
规格书
通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP60R385CPXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP60R385CPXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP60R385CPXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP60R385CPXKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 340µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
790 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
385 毫欧 @ 5.2A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STP10NK80ZSTMicroelectronics415497-7498-5-ND$7.76000直接
IRF830APBFVishay Siliconix1,718IRF830APBF-ND$4.25000类似
IRFBC30APBFVishay Siliconix732IRFBC30APBF-ND$5.49000类似
IXTP12N65X2IXYS0IXTP12N65X2-ND$3.39970类似
IXTP12N70X2MIXYS0238-IXTP12N70X2M-ND$4.52107类似
按订单供货
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不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
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管件
数量 单价总价
500$1.41480$707.40
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$1.41480
含 VAT 单价:$1.54213