SIHF12N60E-E3 没有现货，但可以进行缺货下单。
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SIHF12N60E-GE3
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SIHF12N60E-E3

DigiKey 零件编号
SIHF12N60E-E3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHF12N60E-E3
描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
937 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
SIHF12
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500$1.81832$909.16
1,000$1.68555$1,685.55
2,000$1.58477$3,169.54
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$4.90000
含 VAT 单价:$5.34100