IPA60R299CPXKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 78
单价: $4.83000
规格书

直接


STMicroelectronics
现货: 896
单价: $6.39000
规格书

类似


IXYS
现货: 277
单价: $7.16000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 500
单价: $5.61000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 725
单价: $5.67000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 928
单价: $9.72000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 659
单价: $7.30000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 908
单价: $3.61000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 545
单价: $5.02000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,925
单价: $11.15000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 709
单价: $6.92000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 267
单价: $3.96000
规格书
PG-TO220-3-31
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPA60R299CPXKSA1

DigiKey 零件编号
IPA60R299CPXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPA60R299CPXKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-FP
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPA60R299CPXKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
299 毫欧 @ 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
33W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-31
封装/外壳
基本产品编号
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$1.58728
含 VAT 单价:$1.73014