SIHD6N62E-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 92
单价: $3.02000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 29,606
单价: $8.13000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 726
单价: $3.31000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 10,966
单价: $4.27000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 3,610
单价: $2.46000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 2,312
单价: $4.69000
规格书
表面贴装型 N 通道 6A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

SIHD6N62E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHD6N62E-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHD6N62E-GE3
描述
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 6A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
578 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-252AA
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
900 毫欧 @ 3A,10V
基本产品编号
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
AOD4S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.92785-1265-1-ND$3.02000类似
FQB8N60CTMonsemi0FQB8N60CTMFSTR-ND$0.00000类似
IPD60R750E6BTMA1Infineon Technologies0IPD60R750E6BTMA1TR-ND$0.00000类似
IXFA10N80PIXYS29,606IXFA10N80P-ND$8.13000类似
STB7ANM60NSTMicroelectronics726497-13935-1-ND$3.31000类似
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不含 VAT 单价:$0.83978
含 VAT 单价:$0.91536