FQB8N60CTM 已经过时且不再制造。
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表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） TO-263（D2PAK）
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表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） TO-263（D2PAK）
TO-263

FQB8N60CTM

DigiKey 零件编号
FQB8N60CTMFSTR-ND - 卷带（TR）
制造商
onsemi
制造商产品编号
FQB8N60CTM
描述
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） TO-263（D2PAK）
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产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
系列
Vgs（最大值）
±30V
包装
卷带（TR）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1255 pF @ 25 V
零件状态
停产
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），147W（Tc）
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压（Vdss）
600 V
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
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