设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
SIHB22N60AE-GE3 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:
类似
类似
类似
类似
类似
类似
类似
类似
类似
类似
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHB22N60AE-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB22N60AE-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
原厂标准交货期 | 24 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHB22N60AE-GE3 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 96 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1451 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 179W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 600 V | 供应商器件封装 TO-263（D2PAK） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 180 毫欧 @ 11A，10V |
报告产品信息错误
文档与媒体
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | $9.63000 | 类似 |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | $5.82000 | 类似 |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | $4.28000 | 类似 |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3,086 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | $5.75000 | 类似 |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $9.66000 | 类似 |
展开
按订单供货
查看交期
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后，DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $2.93393 | $2,933.93 |
| 不含 VAT 单价: | $2.93393 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.19798 |
