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SQM120P04-04L_GE3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SIHB22N60AE-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB22N60AE-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHB22N60AE-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHB22N60AE-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1451 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB22
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$2.43074
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