SIHB12N60E-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:

参数等效

SIHB12N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $1.32994
规格书

参数等效

SIHB12N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $1.32994
规格书

类似

R6011KNJTL
Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $4.29000
规格书

类似

SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
现货: 721
单价: $5.82000
规格书

类似

STB13N60M2
STMicroelectronics
现货: 8,056
单价: $4.03000
规格书

类似

STB13NM60N
STMicroelectronics
现货: 910
单价: $8.26000
规格书
查看所有替代品并进行比较
TO-263-3
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB12N60E-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHB12N60E-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
937 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
147W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB12
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
查看交期
申请库存通知
数量
所有价格均以 SGD 计算
散装
数量 单价总价
1$3.91000$3.91
10$2.53100$25.31
100$1.74280$174.28
500$1.40546$702.73
1,000$1.29706$1,297.06
2,000$1.20594$2,411.88
5,000$1.16681$5,834.05
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.91000
含 VAT 单价:$4.26190