SIHB12N60ET1-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHB12N60ET1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2PAK) |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 58 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±30V |
包装 散装 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 937 pF @ 100 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 147W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 600 V | 供应商器件封装 TO-263(D2PAK) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 6A,10V |
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替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | $2.96000 | 类似 |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | $4.51000 | 类似 |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | $3.53016 | 类似 |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | $2.44855 | 类似 |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | $1.30931 | $1,047.45 |
| 不含 VAT 单价: | $1.30931 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $1.42715 |



