SIHB12N60ET1-GE3 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $2.96000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $4.51000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $3.53016
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: $2.44855
规格书
表面贴装型 N 通道 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2PAK)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60ET1-GE3

DigiKey 零件编号
SIHB12N60ET1-GE3-ND
制造商
制造商产品编号
SIHB12N60ET1-GE3
描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2PAK)
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
58 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
散装
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
937 pF @ 100 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
147W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-263(D2PAK)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
380 毫欧 @ 6A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (4)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPB60R380C6ATMA1Infineon Technologies0IPB60R380C6ATMA1CT-ND$2.96000类似
R6011KNJTLRohm Semiconductor0R6011KNJTLCT-ND$4.51000类似
R6015ANJTLRohm Semiconductor0R6015ANJTL-ND$3.53016类似
R6015FNJTLRohm Semiconductor0846-R6015FNJTLTR-ND$2.44855类似
按订单供货
查看交期
此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
所有价格均以 SGD 计算
散装
数量 单价总价
800$1.30931$1,047.45
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.30931
含 VAT 单价:$1.42715