TK125N60Z1,S1F
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TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW027N65C,S1F

DigiKey 零件编号
264-TW027N65CS1F-ND
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
TW027N65C,S1F
描述
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
原厂标准交货期
24 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 58A（Tc） 156W（Tc） TO-247
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
37 毫欧 @ 29A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2288 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
175°C
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
产品问答

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现货: 16
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$38.02000$38.02
30$24.62333$738.70
120$24.27825$2,913.39
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$38.02000
含 VAT 单价:$41.44180