8-PowerVDFN PKG
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

TPN1R603PL,L1Q

DigiKey 零件编号
TPN1R603PLL1QTR-ND - 卷带（TR）
TPN1R603PLL1QCT-ND - 剪切带（CT）
TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号
TPN1R603PL,L1Q
描述
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
TPN1R603PL,L1Q 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W（Tc）
工作温度
175°C
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPN1R603
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现货: 31,916
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$1.95000$1.95
10$1.22700$12.27
100$0.81420$81.42
500$0.63644$318.22
1,000$0.57924$579.24
2,000$0.54569$1,091.38
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
5,000$0.46466$2,323.30
10,000$0.44582$4,458.20
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.95000
含 VAT 单价:$2.12550