TK25E60X,S1X 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

直接


onsemi
现货: 2,265
单价: $7.64000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $11.97000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 464
单价: $8.41000
规格书

类似


IXYS
现货: 5,121
单价: $13.36000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.05132
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.54137
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 264
单价: $7.04000
规格书
通孔 N 通道 600 V 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

TK25E60X,S1X

DigiKey 零件编号
TK25E60XS1X-ND
制造商
制造商产品编号
TK25E60X,S1X
描述
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
TK25E60X,S1X 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.2mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 300 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
180W(Tc)
FET 类型
工作温度
150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-220
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
125 毫欧 @ 7.5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FCP125N65S3onsemi2,265488-FCP125N65S3-ND$7.64000直接
IPP65R110CFDAAKSA1Infineon Technologies0448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND$11.97000类似
IPP65R125C7XKSA1Infineon Technologies464IPP65R125C7XKSA1-ND$8.41000类似
IXFP34N65X2IXYS5,121238-IXFP34N65X2-ND$13.36000类似
SIHP28N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP28N65E-GE3-ND$4.05132类似
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管件
数量 单价总价
1$9.04000$9.04
50$4.78680$239.34
100$4.37610$437.61
500$3.65720$1,828.60
1,000$3.42644$3,426.44
2,000$3.32099$6,641.98
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$9.04000
含 VAT 单价:$9.85360