SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

SSM6K211FE,LF
DigiKey 零件编号	SSM6K211FELFTR-ND - 卷带（TR） SSM6K211FELFCT-ND - 剪切带（CT） SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM6K211FE,LF
描述	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 20 V 3.2A（Ta） 500mW（Ta） ES6
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM6K211FE,LF 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSIII
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	47 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	510 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	ES6
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
基本产品编号	SSM6K211