SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

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SSM3J114TU(TE85L)
DigiKey 零件编号	SSM3J114TU(TE85L)TR-ND - 卷带（TR） SSM3J114TU(TE85L)CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM3J114TU(TE85L)
描述	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM3J114TU(TE85L) 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	149 毫欧 @ 600mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.7 nC @ 4 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	331 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	UFM
封装/外壳	3-SMD，扁平引线
基本产品编号	SSM3J114