
CSD85312Q3E | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 296-37187-2-ND - 卷带(TR) 296-37187-1-ND - 剪切带(CT) 296-37187-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | CSD85312Q3E |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
原厂标准交货期 | 12 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 39A 2.5W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3) |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | CSD85312Q3E 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Texas Instruments | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 N 沟道(双)共源 | |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,5V 驱动 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12.4 毫欧 @ 10A,8V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.2nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2390pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 2.5W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | |
供应商器件封装 | 8-VSON(3.3x3.3) | |
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.21000 | $2.21 |
| 10 | $1.39500 | $13.95 |
| 100 | $0.93090 | $93.09 |
| 500 | $0.73210 | $366.05 |
| 1,000 | $0.66815 | $668.15 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.59891 | $1,497.28 |
| 5,000 | $0.55612 | $2,780.60 |
| 7,500 | $0.53433 | $4,007.47 |
| 12,500 | $0.53158 | $6,644.75 |
| 不含 VAT 单价: | $2.21000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.40890 |











