BSM400D12P3G002
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BSM400D12P3G002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P3G002

DigiKey 零件编号
846-BSM400D12P3G002-ND
制造商
制造商产品编号
BSM400D12P3G002
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tc) 1570W(Tc) 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停产
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 109.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
17000pF @ 10V
功率 - 最大值
1570W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
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