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BSM600D12P4G103
Rohm Semiconductor
现货: 8
单价: $1,637.75000
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BSM600D12P3G001
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BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKey 零件编号
846-BSM600D12P3G001-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
BSM600D12P3G001
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 600A（Tc） 2450W（Tc） 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
停产
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 182mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
31000pF @ 10V
功率 - 最大值
2450W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM600
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