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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
NVMFD5C650NLT1G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - 卷带（TR） NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - 剪切带（CT） NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | NVMFD5C650NLT1G |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN |
原厂标准交货期 | 46 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | NVMFD5C650NLT1G 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），111A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 20A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 98µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2546pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 3.5W（Ta），125W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
供应商器件封装 | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） | |
基本产品编号 |
现货: 3,192
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最大购买数量限制
| 剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带: | 1500 |
数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $8.23000 | $8.23 |
| 10 | $5.49200 | $54.92 |
| 100 | $3.94120 | $394.12 |
| 500 | $3.58390 | $1,791.95 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,500 | $2.92802 | $4,392.03 |
| 不含 VAT 单价: | $8.23000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $8.97070 |
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