Name: NVMFD5C650NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND
Price: 4.469 SGD
Availability: InStock

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NVMFD5C650NLET1G
DigiKey 零件编号	488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND - 卷带（TR） 488-NVMFD5C650NLET1GCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVMFD5C650NLET1GDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMFD5C650NLET1G
描述	T6 60V LL S08FL DS
原厂标准交货期	31 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 60V 21A（Ta），111A（Tc） 3.5W（Ta），125W（Tc）表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 37nC @ 10V
制造商 onsemi	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2546pF @ 25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率 - 最大值 3.5W（Ta），125W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 175°C
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
配置 2 个 N 沟道	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 60V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Ta），111A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 20A，10V	供应商器件封装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 98µA	基本产品编号 NVMFD5