Name: HUF75329D3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF75329D3STFSTR-ND
Price: 2.6487 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

HUF75329D3ST
DigiKey 零件编号	HUF75329D3STFSTR-ND - 卷带（TR） HUF75329D3STFSCT-ND - 剪切带（CT） HUF75329D3STFSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	HUF75329D3ST
描述	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
原厂标准交货期	25 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 55 V 20A（Tc） 128W（Tc） TO-252AA
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 65 nC @ 20 V
系列 UltraFET™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1060 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 128W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 55 V	供应商器件封装 TO-252AA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 HUF75329
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (7)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD25N06S4L30ATMA2	Infineon Technologies	11,195	IPD25N06S4L30ATMA2CT-ND	$2.21000	类似
IPD30N06S2L23ATMA1	Infineon Technologies	2,010	IPD30N06S2L23ATMA1TR-ND	$0.86359	类似
IRFR2407TRPBF	Infineon Technologies	1,960	IRFR2407PBFCT-ND	$3.47000	类似
NP90N055VUK-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	6,437	559-NP90N055VUK-E1-AYCT-ND	$4.16000	类似
STD30NF06LT4	STMicroelectronics	5,197	497-4101-1-ND	$2.74000	类似