IPD30N06S2L23ATMA1 没有现货,且当前不提供缺货下单。
可用替代品:

直接


Infineon Technologies
现货: 9,832
单价: $3.13000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 34,020
单价: $2.62000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 8,480
单价: $2.76000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $3.04000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 2,912
单价: $2.04000
规格书

类似


onsemi
现货: 184
单价: $2.48000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,049
单价: $2.43000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 3,180
单价: $3.21000
规格书

类似


Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 96,815
单价: $1.98000
规格书
表面贴装型 N 通道 55 V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPD30N06S2L23ATMA1

DigiKey 零件编号
IPD30N06S2L23ATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IPD30N06S2L23ATMA1
描述
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 55 V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
42 nC @ 10 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1091 pF @ 25 V
包装
卷带(TR)
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
零件状态
DigiKey 停止提供
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
FET 类型
等级
汽车级
技术
资质
AEC-Q101
漏源电压(Vdss)
55 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
23 毫欧 @ 22A,10V
基本产品编号
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50µA
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (9)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon Technologies9,832IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND$3.13000直接
IRFR1205TRPBFInfineon Technologies34,020IRFR1205PBFCT-ND$2.62000类似
IRFR4105TRPBFInfineon Technologies8,480IRFR4105PBFCT-ND$2.76000类似
IRLR2905TRPBFInfineon Technologies0IRLR2905PBFCT-ND$3.04000类似
DMNH6021SK3Q-13Diodes Incorporated2,912DMNH6021SK3Q-13DICT-ND$2.04000类似
现货: 0
市场库存: 2,010 立即查看
由于临时供应限制,我们无法接受进行缺货订购,且目前产品的交货期不确定。 查看 替代品。

在 Digi-Key 的其他供应商

2,010现货
由 Rochester Electronics, LLC 发货