FCH099N65S3_F155 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


onsemi
现货: 639
单价: $11.74000
规格书

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Microchip Technology
现货: 0
单价: $6.37390
规格书

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Microchip Technology
现货: 0
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现货: 206
单价: $9.71000
规格书

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Infineon Technologies
现货: 248
单价: $7.72000
规格书

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IXYS
现货: 98
单价: $13.10000
规格书

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IXYS
现货: 30
单价: $54.54000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $22.84380
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $14.59833
规格书

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IXYS
现货: 38
单价: $39.72000
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $21.36800
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $6.28133
规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $8.83700
规格书
TO-247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

FCH099N65S3_F155

DigiKey 零件编号
FCH099N65S3_F155-ND
制造商
制造商产品编号
FCH099N65S3_F155
描述
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 227W(Tc) TO-247-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
FCH099N65S3_F155 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2480 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
基本产品编号
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