Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 37.9865 SGD
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

G2R1000MT33J-TR
DigiKey 零件编号	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - 卷带（TR） 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - 剪切带（CT） 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Navitas Semiconductor, Inc.
制造商产品编号	G2R1000MT33J-TR
描述	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 3300 V 5A（Tc） 74W（Tc） TO-263-7
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 2A，20V
制造商 Navitas Semiconductor, Inc.	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 2mA
系列 LoRing™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 20 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +20V，-5V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 238 pF @ 1000 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 74W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 3300 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A（Tc）	供应商器件封装 TO-263-7
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V	封装/外壳 TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA