通孔 N 沟道,耗尽型 400 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
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DN2540N3-G-P003

DigiKey 零件编号
DN2540N3-G-P003TR-ND - 卷带(TR)
DN2540N3-G-P003CT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
DN2540N3-G-P003
描述
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
原厂标准交货期
7 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 400 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DN2540N3-G-P003 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 欧姆 @ 120mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92(TO-226)
封装/外壳
基本产品编号
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现货: 8,423
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剪切带(CT)
数量 单价总价
1$1.42000$1.42
25$1.19800$29.95
100$1.19370$119.37
卷带(TR)
数量 单价总价
2,000$1.08670$2,173.40
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.42000
含 VAT 单价:$1.54780