通孔 N 沟道,耗尽型 400 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

DN2540N3-G-P003

DigiKey 零件编号
DN2540N3-G-P003TR-ND - 卷带(TR)
DN2540N3-G-P003CT-ND - 剪切带(CT)
制造商
制造商产品编号
DN2540N3-G-P003
描述
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
原厂标准交货期
4 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 400 V 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DN2540N3-G-P003 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 欧姆 @ 120mA,0V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300 pF @ 25 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
400 V
供应商器件封装
TO-92(TO-226)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 2,319
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT)
数量 单价总价
1$1.40000$1.40
25$1.17960$29.49
100$1.17520$117.52
卷带(TR)
数量 单价总价
2,000$1.06985$2,139.70
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.40000
含 VAT 单价:$1.52600