表面贴装型 N 沟道,耗尽型 500 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
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表面贴装型 N 沟道,耗尽型 500 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
TO-252AA

IXTY08N50D2

DigiKey 零件编号
IXTY08N50D2-ND
制造商
制造商产品编号
IXTY08N50D2
描述
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 沟道,耗尽型 500 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 欧姆 @ 400mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.7 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
312 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
基本产品编号
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管件
数量 单价总价
1$5.03000$5.03
70$2.42300$169.61
140$2.20100$308.14
560$1.85709$1,039.97
1,050$1.73637$1,823.19
2,030$1.65415$3,357.92
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$5.03000
含 VAT 单价:$5.48270