IRFH5110TRPBF
DigiKey 零件编号	448-IRFH5110TRPBFTR-ND - 卷带（TR）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IRFH5110TRPBF
描述	MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 11A（Ta），63A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） 8-PQFN（5x6）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IRFH5110TRPBF 型号

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 100µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 72 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3152 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），114W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta），63A（Tc）	封装/外壳 8-PowerVDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRFH5110
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 12.4 毫欧 @ 37A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSC109N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	1,367	BSC109N10NS3GATMA1CT-ND	$3.07000	类似
BSC118N10NSGATMA1	Infineon Technologies	11,350	BSC118N10NSGATMA1CT-ND	$2.91000	类似
DMT8012LFG-13	Diodes Incorporated	0	DMT8012LFG-13-ND	$0.58489	类似
STL60N10F7	STMicroelectronics	8,845	497-13879-1-ND	$2.74000	类似
STL90N10F7	STMicroelectronics	2,196	497-13969-1-ND	$3.20000	类似

IRFH5110TRPBF