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表面贴装型 P 通道 30 V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
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IRF9332PBF

DigiKey 零件编号
IRF9332PBF-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF9332PBF
描述
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 30 V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IRF9332PBF 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
DigiKey 停止提供
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.5 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1270 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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