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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI4435DY | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4435DYFSTR-ND - 卷带（TR） SI4435DYFSCT-ND - 剪切带（CT） |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4435DY |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI4435DY 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8.8A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1604 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 27,443
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.11000 | $2.11 |
| 10 | $1.33600 | $13.36 |
| 100 | $0.88960 | $88.96 |
| 500 | $0.69840 | $349.20 |
| 1,000 | $0.63682 | $636.82 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.57020 | $1,425.50 |
| 5,000 | $0.52903 | $2,645.15 |
| 7,500 | $0.50805 | $3,810.38 |
| 12,500 | $0.50166 | $6,270.75 |
| 不含 VAT 单价: | $2.11000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.29990 |
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