Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 6.4419 SGD
Availability: InStock

表面贴装型 N 通道 25 V 47A（Ta），310A（Tc） 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-WHTFN-9-1

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
描述	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 47A（Ta），310A（Tc） 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-WHTFN-9-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.58 毫欧 @ 20A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
系列 OptiMOS™ 5	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 82 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±16V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5453 pF @ 12 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），89W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 25 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 47A（Ta），310A（Tc）	供应商器件封装 PG-WHTFN-9-1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 9-PowerWDFN