Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.7851 SGD
Availability: InStock

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQE006NE2LM5CGATMA1
描述	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 41A（Ta），298A（Tc） 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-TTFN-9-1
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQE006NE2LM5CGATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	41A（Ta），298A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.65 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	82.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5453 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），89W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TTFN-9-1
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	IQE006

不含 VAT 单价:	$4.39000
含 VAT 单价:	$4.78510

IQE006NE2LM5CGATMA1