IPW65R110CFDFKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


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现货: 458
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规格书
通孔 N 通道 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW65R110CFDFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW65R110CFDFKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.3mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
118 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3240 pF @ 100 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
277.8W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 12.7A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (8)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPW65R110CFDFKSA2Infineon Technologies190448-IPW65R110CFDFKSA2-ND$9.61000参数等效
FCH110N65F-F155onsemi360FCH110N65F-F155-ND$12.61000类似
FCH150N65F-F155onsemi262FCH150N65F-F155-ND$11.29000类似
SIHG33N65EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG33N65EF-GE3-ND$11.86000类似
STW30N65M5STMicroelectronics600497-10655-5-ND$9.29000类似
过期
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