SIHG33N65EF-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似

FCH099N60E
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

FCH104N60F
onsemi
现货: 0
单价: $11.24000
规格书

类似

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
现货: 240
单价: $11.68000
规格书

类似

IXFR64N60Q3
IXYS
现货: 30
单价: $54.54000
规格书

类似

IXTH34N65X2
IXYS
现货: 203
单价: $11.86000
规格书

类似

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
现货: 31
单价: $13.24000
规格书
查看所有替代品并进行比较
通孔 N 通道 650 V 31.6A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SIHG33N65EF-GE3

DigiKey 零件编号
SIHG33N65EF-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHG33N65EF-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
原厂标准交货期
25 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 31.6A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
109 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
171 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4026 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG33
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
查看交期
申请库存通知
数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$11.26000$11.26
25$6.71040$167.76
100$5.62550$562.55
500$4.84310$2,421.55
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$11.26000
含 VAT 单价:$12.27340