IPP65R190CFDXKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

MFR Recommended

IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
现货: 1,172
单价: $4.95000
规格书

类似

FCP16N60N
onsemi
现货: 2
单价: $8.99000
规格书

类似

FCP190N65F
onsemi
现货: 1,659
单价: $7.50000
规格书

类似

IXFP22N65X2
IXYS
现货: 4,398
单价: $8.87000
规格书

类似

IXTP24N65X2
IXYS
现货: 255
单价: $9.45000
规格书

类似

STP20N65M5
STMicroelectronics
现货: 674
单价: $5.56000
规格书

类似

STP21N65M5
STMicroelectronics
现货: 0
单价: $7.54000
规格书

类似

STP24NM60N
STMicroelectronics
现货: 381
单价: $5.96000
规格书

类似

STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
现货: 990
单价: $5.09000
规格书

类似

STP28N60DM2
STMicroelectronics
现货: 990
单价: $6.34000
规格书

类似

STP28N60M2
STMicroelectronics
现货: 759
单价: $5.27000
规格书

类似

TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 49
单价: $5.64000
规格书
查看所有替代品并进行比较
PG-TO220-3-1
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPP65R190CFDXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP65R190CFDXKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP65R190CFDXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO220-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1850 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP65R190
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

过期
此产品已停产。 查看 替代品。
2 种货品
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

$1.11000
2EDN7523FXTMA1

2EDN7523FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

$1.11000
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品
IPP65R190CFDXKSA2

IPP65R190CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

Infineon Technologies

$4.95000