IPP65R150CFDXKSA1 已经过时且不再制造。
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参数等效

IPP65R150CFDXKSA2
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $5.81000
规格书

参数等效

IPW65R150CFDFKSA2
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $6.39000
规格书

类似

FCP110N65F
onsemi
现货: 765
单价: $10.21000
规格书

类似

FCP150N65F
onsemi
现货: 776
单价: $8.61000
规格书

类似

FCP165N60E
onsemi
现货: 1,060
单价: $6.12000
规格书

类似

STP20N65M5
STMicroelectronics
现货: 674
单价: $5.56000
规格书

类似

STP24N60DM2
STMicroelectronics
现货: 902
单价: $5.54000
规格书

类似

STP24NM60N
STMicroelectronics
现货: 381
单价: $5.96000
规格书

类似

STP28N60M2
STMicroelectronics
现货: 759
单价: $5.27000
规格书

类似

STP31N65M5
STMicroelectronics
现货: 319
单价: $6.55000
规格书

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TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $6.66000
规格书
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PG-TO220-3-1
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPP65R150CFDXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP65R150CFDXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO220-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2340 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
195.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP65R150
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