IPP65R150CFDXKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $7.37000
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现货: 765
单价: $10.44000
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现货: 776
单价: $8.79000
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现货: 1,034
单价: $7.13000
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Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $9.44000
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Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $9.44000
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STMicroelectronics
现货: 670
单价: $5.86000
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STMicroelectronics
现货: 862
单价: $5.84000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 373
单价: $6.27000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 49
单价: $5.54000
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STMicroelectronics
现货: 315
单价: $6.90000
规格书

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Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $7.10000
规格书
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP65R150CFDXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP65R150CFDXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 900µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2340 pF @ 100 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
195.3W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 9.3A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (12)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPP65R150CFDXKSA2Infineon Technologies0448-IPP65R150CFDXKSA2-ND$7.37000参数等效
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND$10.44000类似
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND$8.79000类似
FCP165N60Eonsemi1,034FCP165N60E-ND$7.13000类似
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND$9.44000类似
过期
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