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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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参数等效


Infineon Technologies
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直接


onsemi
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onsemi
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类似


Vishay Siliconix
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类似


Vishay Siliconix
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类似


STMicroelectronics
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Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $6.66000
规格书
PG-TO220-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP65R150CFDXKSA2

DigiKey 零件编号
448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
制造商
制造商产品编号
IPP65R150CFDXKSA2
描述
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP65R150CFDXKSA2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2340 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
195.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
基本产品编号
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数量 单价总价
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50$2.97420$148.71
100$2.70020$270.02
500$2.22020$1,110.10
1,000$2.07796$2,077.96
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$5.81000
含 VAT 单价:$6.33290