表面贴装型 N 通道 650 V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263-3
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表面贴装型 N 通道 650 V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R110CFDAATMA1

DigiKey 零件编号
IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - 卷带（TR）
IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB65R110CFDAATMA1
描述
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
原厂标准交货期
8 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 650 V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPB65R110CFDAATMA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
118 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3240 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
277.8W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
IPB65R110
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$8.99000$8.99
10$6.04100$60.41
100$4.39110$439.11
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
1,000$3.58749$3,587.49
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$8.99000
含 VAT 单价:$9.79910
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