类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 630µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 37 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ P6	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1750 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 151W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.2A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB60R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	4,812	IPB60R180P7ATMA1CT-ND	$4.99000	类似
R6024ENJTL	Rohm Semiconductor	811	R6024ENJTLCT-ND	$6.98000	类似
SIHB22N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB22N60E-GE3-ND	$6.91000	类似
SIHB22N60EL-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB22N60EL-GE3-ND	$3.37962	类似
SIHB23N60E-GE3	Vishay Siliconix	44	SIHB23N60E-GE3-ND	$7.13000	类似

IPB60R190P6ATMA1