类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5110 pF @ 25 V
包装卷带（TR）	功率耗散（最大值） 300W（Tc）
零件状态 DigiKey 停止提供	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-3-2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 IPB100N
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB100N06S205ATMA4	Infineon Technologies	44,627	IPB100N06S205ATMA4CT-ND	$5.50000	直接
BUK964R8-60E,118	Nexperia USA Inc.	205	1727-7261-1-ND	$4.80000	类似
FDB045AN08A0	onsemi	294	FDB045AN08A0CT-ND	$6.93000	类似
IXFA230N075T2	IXYS	0	IXFA230N075T2-ND	$5.66087	类似
NP82N055PUG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP82N055PUG-E1-AYTR-ND	$1.90509	类似

IPB100N06S205ATMA1