NP82N055PUG-E1-AY 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
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Infineon Technologies
现货: 0
单价: $3.26049
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onsemi
现货: 294
单价: $6.93000
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Infineon Technologies
现货: 1,681
单价: $4.95000
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Infineon Technologies
现货: 7,718
单价: $5.14000
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IXYS
现货: 0
单价: $3.68907
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IXYS
现货: 352
单价: $12.55000
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Nexperia USA Inc.
现货: 75
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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $4.20000
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STMicroelectronics
现货: 320
单价: $5.32000
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现货: 298
单价: $5.05000
规格书
表面贴装型 N 通道 55 V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

NP82N055PUG-E1-AY

DigiKey 零件编号
NP82N055PUG-E1-AYTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
NP82N055PUG-E1-AY
描述
MOSFET N-CH 55V 82A TO263
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 55 V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
NP82N055PUG-E1-AY 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
160 nC @ 10 V
包装
卷带(TR)
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9600 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),143W(Tc)
技术
工作温度
175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
55 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-263
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.2 毫欧 @ 41A,10V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (11)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
AUIRF1405ZS-7PInfineon Technologies0AUIRF1405ZS-7P-ND$0.00000类似
AUIRF1405ZSTRLInfineon Technologies0AUIRF1405ZSTRL-ND$3.26049类似
FDB045AN08A0onsemi294FDB045AN08A0CT-ND$6.93000类似
IRF1405STRLPBFInfineon Technologies1,681IRF1405STRLPBFCT-ND$4.95000类似
IRFS3306TRLPBFInfineon Technologies7,718IRFS3306TRLPBFCT-ND$5.14000类似
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此产品在 DigiKey 没有现货。所示交货期属制造商交付 DigiKey 所需时间。收到产品后,DigiKey 会立即发货以完成未结订单。
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卷带(TR)
数量 单价总价
800$1.90509$1,524.07
1,600$1.78308$2,852.93
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.90509
含 VAT 单价:$2.07655