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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R057M1HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 133W（Tc） PG-TO247-3-41 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R057M1HXKSA1 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 5mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28 nC @ 18 V |
系列 | Vgs（最大值） +20V，-2V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 930 pF @ 400 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散（最大值） 133W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO247-3-41 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 74 毫欧 @ 16.7A，18V |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $14.54000 | $14.54 |
| 30 | $8.48067 | $254.42 |
| 120 | $7.15058 | $858.07 |
| 510 | $6.17625 | $3,149.89 |
| 1,020 | $5.82096 | $5,937.38 |
| 2,010 | $5.52829 | $11,111.86 |
| 不含 VAT 单价: | $14.54000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $15.84860 |
