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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R027M1HXKSA1 |
描述 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 47A（Tc） 189W（Tc） PG-TO247-3-41 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R027M1HXKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 11mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 62 nC @ 18 V |
系列 | Vgs（最大值） +23V，-5V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2131 pF @ 400 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散（最大值） 189W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO247-3-41 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 34 毫欧 @ 38.3A，18V |
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替代品 (3)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | $24.52000 | 类似 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $21.30000 | 类似 |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $16.82000 | 类似 |
现货: 480
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $23.19000 | $23.19 |
| 30 | $14.08133 | $422.44 |
| 120 | $12.08508 | $1,450.21 |
| 510 | $10.62371 | $5,418.09 |
| 1,020 | $10.09104 | $10,292.86 |
| 不含 VAT 单价: | $23.19000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $25.27710 |
