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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
描述 | MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 100A 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 100A，15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.55V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 250nC @ 15V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7950pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 |
过期
新加坡