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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
DI200N10D2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 4878-DI200N10D2-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | DI200N10D2 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3 |
原厂标准交货期 | 8 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Tc） 340W（Tc） TO-263AB（D2PAK） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | DI200N10D2 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3mOhm @ 120A, 10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 262 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 16800 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 340W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263AB（D2PAK） | |
封装/外壳 |
现货: 702
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数量
所有价格均以 SGD 计算
散装
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $4.86000 | $4.86 |
| 10 | $3.17600 | $31.76 |
| 100 | $2.21520 | $221.52 |
| 800 | $1.71233 | $1,369.86 |
| 1,600 | $1.59501 | $2,552.02 |
| 2,400 | $1.57031 | $3,768.74 |
| 不含 VAT 单价: | $4.86000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $5.29740 |
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